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Ficha técnica do produto
Características
Especificações
Pacote
DIP
Cutomizado
SIM
Número do Modelo
a
Temperatura de Operação
a
Potência de Dissipação
a
Tensão de Alimentação
a
Aplicação
TV
Condição
Novo
Tipo
Regulador de Tensão
Nome da Marca
KAI TUO da
Origem
CN (origem)
Protocolo TCIP incorporado
Além disso, há SIM300Z SIM300CZ SIM300DZ SIM508Z suporte GPS, função GPRS
SIM508Z é um suporte para a tecnologia AGPS tri-band GSM / GPRS módulo. O módulo SIM508 é compacto e integra a tecnologia GSM / GPRS e GPS em uma única solução, para que você possa economizar em custos de hardware.
A combinação de GSM / GPRS e AGPS permite que o módulo SIM508 atenda às necessidades de uma variedade de aplicações sem fio, como telefones PDA, dispositivos portáteis GPS e outros dispositivos móveis para rastrear veículos ou pessoas.
Características físicas
• Tamanho total: 55mm x 34mm x 3mm
• Peso: aproximadamente 12 gramas
• Temperatura operacional normal: -20 ° C a + 60 ° C
• Temperatura de operação limitada: -30 ° C a-20 ° C e + 60 ° C a + 80 ° C
• Temperatura de armazenamento: -40 ° C + 85 ° C
Especificações GSM / GPRS
• Tri-band GSM 900/1800 / 1900MHz,
• GPRS multi-slot (Classe 10/8) padrão
• Conheça o padrão GSM 2/2 +
-Classe 4 (2W @ GSM850 / 900MHz)
)
• AT comando controle (GSM 07.07, 07.05 e SIMCom reforçada AT comando set)
• Suporte para STK
• Suporta modo baixa potência
• Suporta tensão gama: 3.4V – 4.5V
Indicadores GPS
• Receba 20 canais, L1 1575.42 MHz, taxa de chip 1,023MHz do código C / A
• Posicionamento preciso de 2,5 m CEP
-Sem SA/Velocidade 0,1 m/s
-Não SA/Tempo 1 µs Tempo GPS síncrono
• DGPS / SBAS Localização: 2,0 mCEP
• Data WGS-84
Capture time rate (95% TTFF primeira localização local)
Tempo quente: <1 segundo, média, ao ar livre
Tempo quente do começo: 35 segundos, média, exterior
Tempo frio: 35 segundos, média, exterior
• Tensão operacional: 3.3V DC ± 5%
• Consumo da baixa potência: 3.3 V aproximadamente 160 mW
• Acordo
-NMEA-0183
-SiRF binário
-RTCM SC-104
• Crystal Oscillator (TCXO), temperatura estável frequência ± 0,5 ppm
• Memória: 4 Mbit flash e 1Mbit SRAM
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