Unidades Eletrônicas

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Ficha técnica do produto

Características	Especificações
Número do Modelo	Stp8nk100z
Origem	CN (origem)

Tecnologia:	Si
Montagem Estilo:	Através do furo
Pacote/caixa:	DO-220-3
Polaridade do transistor:	N-canal
Número de canais:	1 canal
Vds-Dreno-Fonte Breakdown Tensão:	1 kV
Id-Corrente contínua do dreno:	6,5 A
Resistência Rds On – Drain-Source:	1,85 Ohms
Tensão Vgs – Gate-Source:	-30 V, + 30 V
Vgs th-Porta-Fonte Tensão Limiar:	3 V
Carga Qg – Gate:	73 nC
Temperatura operacional mínima:	55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Dissipação de energia Pd:	160 W
Modo do canal:	Reforço
Nome comercial:
Empacotamento:	Tubo
Marca:	STMicroelectronics
Configuração:	Solteiro
Tempo De Queda:	30 ns
Transcondutância dianteira-Min:	7 S
Altura:	9,15 milímetros
Comprimento:	10,4 milímetros
Tipo do produto:	MOSFET
Hora do aumento:	19 ns
Série:
Fábrica Pack Quantidade:	1000
Subcategoria:	MOSFETs
Tipo do transistor:	1 MOSFET do N-canal
Tipo:	MOSFET
Típico Turn-Off Delay Tempo:	59 ns
Típico Turn-On tempo de atraso:	28 n
Largura:	4,6 milímetros
Peso unitário:	0,068784 onças

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