Transistores Igbt para Temperatura de Operação Hgtg5n120bnd To2473 5n120bnd Transistores Igbt 21a 1200v Igbt Série Npt N-ch55 c Mais 150 c 10 Pcs Lote

R$ 59,29

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Ficha técnica do produto

Características Especificações
Número do Modelo Hgtg5n120bnd
Origem CN (origem)


Categoria do produto:

Transístores IGBT

RoHS:

Tecnologia:

Si

Pacote/caixa:

DO-247-3

Montagem Estilo:

Através do furo

Configuração:

Solteiro

Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo:

1,2 kV

Tensão saturação do Coletor-Emissor:

2,45 V

Tensão máxima do emissor do portão:

-20 V, + 20 V

Corrente contínua do coletor em 25 C:

21 A

Pd-Dissipação do poder:

167 W

Temperatura operacional mínima:

55 C

Temperatura operacional máxima:

+ 150 C

Série:

Empacotamento:

Tubo

Marca:

Onsemi/Fairchild

Corrente contínua do coletor:

21 A

Corrente contínua do coletor Ic máxima:

21 A

Corrente do vazamento do Portão-Emissor:

+/- 250 nA

Altura:

20,82 milímetros

Comprimento:

15,87mm

Tipo do produto:

Transístores IGBT

Fábrica Pack Quantidade:

450

Subcategoria:

IGBT

Largura:

4,82 milímetros

Parte # Aliases:

HGTG5N120BND _ NL

Peso unitário:

0,225401 onças


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Transistores Igbt para Temperatura de Operação Hgtg5n120bnd To2473 5n120bnd Transistores Igbt 21a 1200v Igbt Série Npt N-ch55 c Mais 150 c 10 Pcs Lote

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