Transistores Igbt para Temperatura de Operação Hgtg5n120bnd To2473 5n120bnd Transistores Igbt 21a 1200v Igbt Série Npt N-ch55 c Mais 150 c 10 Pcs Lote
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | Hgtg5n120bnd |
| Origem | CN (origem) |
|
Categoria do produto: |
Transístores IGBT |
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|
RoHS: |
||
|
Tecnologia: |
Si |
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|
Pacote/caixa: |
DO-247-3 |
|
|
Montagem Estilo: |
Através do furo |
|
|
Configuração: |
Solteiro |
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|
Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo: |
1,2 kV |
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|
Tensão saturação do Coletor-Emissor: |
2,45 V |
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|
Tensão máxima do emissor do portão: |
-20 V, + 20 V |
|
|
Corrente contínua do coletor em 25 C: |
21 A |
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|
Pd-Dissipação do poder: |
167 W |
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|
Temperatura operacional mínima: |
55 C |
|
|
Temperatura operacional máxima: |
+ 150 C |
|
|
Série: |
||
|
Empacotamento: |
Tubo |
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|
Marca: |
Onsemi/Fairchild |
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|
Corrente contínua do coletor: |
21 A |
|
|
Corrente contínua do coletor Ic máxima: |
21 A |
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|
Corrente do vazamento do Portão-Emissor: |
+/- 250 nA |
|
|
Altura: |
20,82 milímetros |
|
|
Comprimento: |
15,87mm |
|
|
Tipo do produto: |
Transístores IGBT |
|
|
Fábrica Pack Quantidade: |
450 |
|
|
Subcategoria: |
IGBT |
|
|
Largura: |
4,82 milímetros |
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|
Parte # Aliases: |
HGTG5N120BND _ NL |
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|
Peso unitário: |
0,225401 onças |
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