Transistores Igbt para Temperatura de Operação Hgtg5n120bnd To2473 5n120bnd Transistores Igbt 21a 1200v Igbt Série Npt N-ch55 c Mais 150 c 10 Pcs Lote
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | Hgtg5n120bnd |
| Origem | CN (origem) |
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Categoria do produto: |
Transístores IGBT |
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RoHS: |
||
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Tecnologia: |
Si |
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Pacote/caixa: |
DO-247-3 |
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Montagem Estilo: |
Através do furo |
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Configuração: |
Solteiro |
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Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo: |
1,2 kV |
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Tensão saturação do Coletor-Emissor: |
2,45 V |
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Tensão máxima do emissor do portão: |
-20 V, + 20 V |
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Corrente contínua do coletor em 25 C: |
21 A |
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Pd-Dissipação do poder: |
167 W |
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Temperatura operacional mínima: |
55 C |
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|
Temperatura operacional máxima: |
+ 150 C |
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Série: |
||
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Empacotamento: |
Tubo |
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Marca: |
Onsemi/Fairchild |
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Corrente contínua do coletor: |
21 A |
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Corrente contínua do coletor Ic máxima: |
21 A |
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Corrente do vazamento do Portão-Emissor: |
+/- 250 nA |
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Altura: |
20,82 milímetros |
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Comprimento: |
15,87mm |
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Tipo do produto: |
Transístores IGBT |
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Fábrica Pack Quantidade: |
450 |
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|
Subcategoria: |
IGBT |
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Largura: |
4,82 milímetros |
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Parte # Aliases: |
HGTG5N120BND _ NL |
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Peso unitário: |
0,225401 onças |
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