Lote Irfp4668 N-ch Mosfet 200v 130a To-247ac 5 Pçs – Irfp4668pbf
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Circuitos integrados
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Informações Técnicas do Produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Modelo Número | Irfp4668 |
| Dissipação de Energia | |
| Temperatura de Operação | -55 TO + 175 |
| Marca | Noenname_null |
| Tensão de Alimentação | |
| Condição | Novo |
| Cutomizado | SIM |
| Aplicação | |
| Tipo | Mosfet |
| Folhas de dados | Irfp4668pbf |
|---|---|
| Módulos de formação de produtos | Circuitos integrados de alta tensão (drivers de porta hvic) |
| Recursos de design | Modelo de sabre irfp4668pbf Irfp4668pbf spice modelo |
| Conjunto de pcn/origem | Processamento de bolacha mosfet 23/oct/2013 |
| Empacotamento do pcn | Atualização de desenho de pacote 19/aug/2015 |
| Pacote padrão: | 25 |
| Categoria |
Produtos discretos do semicondutor |
| Família |
Fets-único |
| Série | HEXFET® |
| Embalagem | Tubo |
| Tipo fet | Mosfet n-canal, óxido de metal |
| Característica fet | Padrão |
| Dreno para a tensão da fonte (vdss) | 200 v v |
| Dreno atual-contínuo (id) @ 25 °c | 130a (tc) |
| Rds em (max) @ id, vgs | 9.7 mohm @ 81a, 10 v |
| Vgs (th) (max) @ id | 5 v @ 250 & micro; a |
| Carga do portão (qg) @ vgs | 241nc @ 10 v |
| Capacidade de entrada (ciss) @ vds | 10720pf @ 50 v |
| Potência-max | 520 w w |
| Temperatura de funcionamento | -55 ° c ~ 175 ° c (tj) |
| Tipo de montagem | Através do buraco |
| Pacote/caso | To-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247AC |
| Catálogo on-line | N-canal fets padrão |
2. Cheap Circuitos Integrados – tipo : Mosfet
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