Igbt Módulos 1200v 200a Dupla 1400 w Temperatura de Operação:- 40 C-+ 125 c Peças Lote Ff200r12ks4
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | Ff200r12ks4 |
| Origem | CN (origem) |
|
Categoria do produto: |
Módulos IGBT |
|
|
RoHS: |
N |
|
|
Produto: |
Módulos silício IGBT |
|
|
Configuração: |
Dupla |
|
|
Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo: |
1200 V |
|
|
Tensão saturação do Coletor-Emissor: |
3,2 V |
|
|
Corrente contínua do coletor em 25 C: |
275 A |
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|
Corrente do escape do Portão-Emissor: |
400 nA |
|
|
Pd-Dissipação do poder: |
1400 W |
|
|
Pacote/caixa: |
62 milímetros |
|
|
Temperatura operacional mínima: |
-40 C |
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|
Temperatura operacional máxima: |
+ 125 C |
|
|
Empacotamento: |
Bandeja |
|
|
Marca: |
Tecnologias Infineon |
|
|
Altura: |
30,5 milímetros |
|
|
Comprimento: |
106,4mm |
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|
Tensão máxima do emissor do portão: |
20 V |
|
|
Montagem Estilo: |
Chassis Monte |
|
|
Tipo do produto: |
Módulos IGBT |
|
|
Série: |
||
|
Fábrica Pack Quantidade: |
10 |
|
|
Subcategoria: |
IGBT |
|
|
Tecnologia: |
Si |
|
|
Largura: |
61,4mm |
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|
Parte # Aliases: |
SP000100707 FF200R12KS4HOSA1 |
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|
Peso unitário: |
12 onças |
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