Módulo de Potência Inteligente Igbt Temperatura de Operação25 c Módulos Igbt 20a 600v-25 C-+ 115 c Bm64375s-va 1pc Lot
R$ 83,49
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | Bm64375s-va |
| Origem | CN (origem) |
|
Categoria do produto: |
Módulos IGBT |
|
|
RSP: |
||
|
Produto: |
Módulos De Silício IGBT |
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Configuração: |
Inversor de 3 fases |
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|
Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo: |
600 V |
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|
Tensão da saturação do Coletor-Emissor: |
1,7 V |
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|
Corrente contínua do coletor em 25 C: |
20 A |
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|
Corrente do vazamento do Portão-Emissor: |
– |
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|
Pd-Dissipação do poder: |
41 W |
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|
Pacote/caixa: |
HSDIP-25 |
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|
Temperatura operacional mínima: |
-25 C |
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|
Temperatura operacional máxima: |
+ 115 C |
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|
Empacotamento: |
Tubo |
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|
Marca: |
Semicondutor ROHM |
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|
Montagem Estilo: |
Através do furo |
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|
Tipo do produto: |
Módulos IGBT |
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Fábrica Pack Quantidade: |
12 |
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|
Subcategoria: |
IGBT |
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|
Tecnologia: |
Si |
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