Transistor de Potência do Mosfet do Silicone Nome do Pacote Hpm 175mhz 530mhz 35 w 12.5 v Rd35hup2 Rd35hup2-t5105 Rd35hup2501 1pc
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | Rd35hup2 |
| Tipo de Conjunto | HPM |
| Condição | Novo |
| Origem | JP (origem) |
?Descrição:
Nome do pacote: hpm
Mitsubishi rd35hup2 é um transistor tipo do fet de mos projetado especificamente para os amplificadores de potência do rf do vhf/uhf applications.175mhz, 530mhz, 35w, 12.5v
Características características:
1. fonte com fita e carretel. 500 unidades pelo carretel
2. empregando o pacote do molde
3. alta potência e alta eficiência pout = 35wtyp, dreno effi. = 70.0% typ @ vds = 12.5v idq = 0.5a pino = 3.0w f = 175mhz pout = 35wtyp, dreno effi. = 64.0% typ @ vds = 12.5v idq = 0.5a pino = 3.0w f = 530mhz
4. diodo integrado da proteção da porta.
Aplicação de aplicação
Para a fase de saída de amplificadores de alta potência em conjuntos de rádio móveis vhf/uhf-band.
?Serviço: serviço:
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