Transistor do Efeito de Campo Ipd60r600pfd7s 60s600d7 Mosfet To2523 Novo Original no Estoque Lote do pc
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Pacote | To252-3 |
| Cutomizado | SIM |
| Número do Modelo | Pd60r600pfd7s |
| Temperatura de Operação | -40°c ~ 150°c |
| Potência de Dissipação | 31W TC |
| Tensão de Alimentação | 10V |
| Aplicação | Computador |
| Condição | Novo |
| Tipo | Mosfet |
| Origem | CN (origem) |
Categoria: Produtos semicondutores discretos Transistor FET, MOSFET FET único, MOSFET
Série: CoolMOS™PFD7
Tipo FET: N-canal
Tecnologia: MOSFET (óxido metálico)
Tensão fonte vazamento (Vdss): 600 V
Corrente a 25 ° C-Dreno contínuo (Id): 6A (Tc)
Tensão de acionamento (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado: 10V
IDs diferentes Resistência à condução em Vgs (valor máximo): 600 milliohms @ 1.7A, 10V
Vgs (th) em diferentes Ids (valor máximo): 4.5V @ 80 e micro; A
Carga do portão (Qg) em diferentes Vgs (máximo): 8,5 nC @ 10 V
Vgs (valor máximo): ± 20V
Capacitância de entrada (Ciss) em diferentes Vds (valor máximo): 344 pF @ 400 V
Função FET:-
Dissipação do poder (máximo): 31W (Tc)
Temperatura de trabalho: -40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo da instalação: Surface mount type
Embalagem do dispositivo do fornecedor: PG-TO252-3
Embalagem/Habitação: TO-252-3, DPAK (2 leads + peça de ouvido), SC-63
Número básico do produto: IPD60R
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