Transistores Bipolares-bjt 10a 80v 50w Pnp Temperatura de Operação:- 55 C-+ 150 c 10 Peças Lote D45h11g Para2203
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Número do Modelo | D45h11g |
| Origem | CN (origem) |
|
Categoria do produto: |
Transístores bipolares-BJT |
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|
RoHS: |
||
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Montagem Estilo: |
Através do furo |
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|
Pacote/caixa: |
DO-220-3 |
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|
Polaridade do transistor: |
PNP |
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Configuração: |
Solteiro |
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Tensão VCEO do Coletor-Emissor Máximo: |
80 V |
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|
Coletor-Tensão Base VCBO: |
– |
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|
Tensão Emissor-Base VEBO: |
5 V |
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|
Tensão da saturação do Coletor-Emissor: |
1 V |
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|
Corrente máxima do coletor DC: |
10 A |
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|
Pd-Dissipação do poder: |
70 W |
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|
Ganho Bandwidth Produto fT: |
40 MHz |
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|
Temperatura operacional mínima: |
55 C |
|
|
Temperatura operacional máxima: |
+ 150 C |
|
|
Série: |
||
|
Empacotamento: |
Tubo |
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|
Marca: |
Onsemi |
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Corrente contínua do coletor: |
10 A |
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|
Coletor DC/Base Ganho hfe Min: |
60 |
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|
Altura: |
15,75mm |
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|
Comprimento: |
10,53 milímetros |
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Tipo do produto: |
BJTs-Transístores Bipolares |
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|
Fábrica Pack Quantidade: |
50 |
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|
Subcategoria: |
Transístores |
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Tecnologia: |
Si |
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Largura: |
4,83mm |
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Peso unitário: |
0,211644 onças |
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